Micron таємно розробила мікросхему FeRAM – незнищенну, енергонезалежну пам’ять зі швидкістю DRAM
2 хв.

Micron таємно розробила мікросхему FeRAM – незнищенну, енергонезалежну пам’ять зі швидкістю DRAM

author avatar ProIT NEWS

На конференції IEDM 2023 у грудні Micron за закритими дверима оголосила про розробку та використання чипа пам’яті FeRAM великої ємності.

Пам’ять FeRAM виробляється близько 20 років, але традиційно це були мікросхеми малої ємності від 8 до 128 Мбіт. На цьому тлі вражає розробка Micron із ємністю 32 Гбіт, що можна порівняти з появою нових енергонезалежних чипів пам’яті. Про це повідомляє BlocksAndFiles.

Пам’ять FeRAM швидша за пам’ять NAND. За цим показником він близький до DRAM-RAM. При цьому чипи FeRAM зберігають заряд в осередках навіть без джерела живлення.

Пам’ять FeRAM також більш зносостійка, що своєю чергою робить її кращою для використання у пристроях зберігання даних. Адже FeRAM не боїться радіації, магнітних полів і температурних коливань, які визначили його долю у верстатах, приладах і бортових пристроях аерокосмічної промисловості.

Незважаючи на численні переваги, пам’ять FeRAM не стала масовим явищем. Її щільність комірок дуже, дуже низька, а об’ємна пам’ять NAND із кристалами величезної ємності не залишила FeRAM жодного шансу проникнути у простір для зберігання даних. Однак цього не вдалося досягти навіть пам’яті 3D XPoint (бренд Intel Optane), яку Micron розробила спільно з Intel. Доступність і низька вартість NAND зіграли негативну роль у сумній долі цієї, здавалося б, багатообіцяючої енергонезалежної пам’яті.

Неофіційний анонс Micron чипа FeRAM на 32 Гб варто розглядати як важливу подію. Вебсайт Blocks & Files надає розділ із зображенням документа із презентації чипа пам’яті, який не є загальнодоступним.

Мікросхеми FeRAM високої ємності сприятимуть розробленню генеративних моделей штучного інтелекту, кажуть у Micron. Вони працюють швидше, ніж NAND, і мають величезну зносостійкість.

Досвідчений чип Micron може витримати до 1015 циклів Rewrite. Це на кілька порядків вище, ніж у конкуруючих чипів FeRAM від Fujitsu, Infineon, SK Hynix і Toshiba. Не кажучи вже про мізерні тисячі циклів, коли справа доходить до зносостійкості чипів NAND.

Заявлена компанією швидкість запису для мікросхем FeRAM становить 70-120 нс, тоді як цикли запису NAND наближаються до 300 мкс. Термін зберігання даних у пам’яті FeRAM (заряд у комірці) становить 10 років.

Відомо, що Micron отримав доступ до патентів і технологій FeRAM після придбання активів японської компанії Elpida у 2013 році. Сама Elpida не розробляла цей тип пам’яті, а тайванські заводи Inotera Memories і Nanya Technology, якими компанія володіла на той час, раніше належали Infineon і виробляли чипи пам’яті FeRAM.

Перемикаючий елемент FeRAM зазвичай складається із п’єзокераміки цирконат-титанату свинцю (PZT). Цей матеріал зберігає поляризацію навіть після зняття зовнішнього керуючого сигналу – електромагнітного поля. Грубо кажучи, кожна комірка FeRAM складається із керуючого транзистора та п’єзокерамічного конденсатора.

Раніше ProIT повідомляв, що Micron запускає модулі розширення пам’яті CXL 2.0.

Підписуйтеся на ProIT у Telegram, щоб не пропустити жодну публікацію!

Приєднатися до company logo
Продовжуючи, ти погоджуєшся з умовами Публічної оферти та Політикою конфіденційності.